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“芯”技术,“芯”梦想
“芯”技术,“芯”梦想
录入时间:2015/12/29 19:01:35

技术,梦想

——华虹宏力2015年度技术论坛圆满闭幕

2015年11月27日,全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2015年度技术论坛,继9月23日首场在深圳获得热烈反响后,于日在北京丽亭华苑酒店再度拉开帷幕。来自北京、长三角、西部地区的150多位IC设计精英、知名合作伙伴、行业分析师和媒体朋友齐聚一堂,就产业趋势和市场热点进行了深入交流,并分享了华虹宏力新的技术成果。

公司执行副总裁范恒先生和执行副总裁孔蔚然博士等公司高层亲临论坛现场,与参会嘉宾互动交流。同时公司派出了阵容强大的技术专家团队,重点介绍了华虹宏力在嵌入式非易失性存储器、功率器件、射频/SOI、电源管理IC等特色工艺技术的最新成果和全方位的设计支持及其他增值服务。

公司执行副总裁范恒先生表示,半导体行业发展迅速,市场风云激荡,而我们保持不变的是“以客户为中心,为客户创造价值,与客户共同成长”的经营理念。这也正是华虹宏力持续努力的方向,不断创新,深度融入中国半导体产业链,用先进的差异化制造技术和高品质服务,成为设计企业可信赖的芯片制造伙伴

公司执行副总裁孔蔚然博士表示,我们成功推出了0.11微米ULL嵌入式闪存。该平台支持RF-CMOS设计,是物联网(IoT)应用的最佳选择。同时针对下一代智能卡、金融卡应用,我们已成功实现90纳米eFlash/ eEEPROM工艺的流片。此外,为进一步增加竞争力,我们将推出新一代超级结MOSFET(SJNFET)。华虹宏力将通过加大新技术研发力度,巩固和提升公司在特色工艺代工领域的领先地位。

论坛技术亮点一:

IoT时代,嵌入式存储器工艺大放异彩

作为嵌入式非易失性存储器领域的领导企业,华虹宏力已在智能卡和物联网方面耕耘多年。公司有嵌入式SONOS Flash和SuperFlash技术,以及eFlash+高压和eFlash+射频(RF)两个衍生工艺平台。技术节点覆盖0.18微米到90纳米,可将自身一流的嵌入式存储器技术与低成本CMOS射频技术结合于一体。同时还可为客户提供高性能、低操作电压、低动态功耗的标准逻辑单元库,并可根据不同需求为客户定制高速度、低功耗、超低静态功耗的嵌入式闪存、嵌入式电可擦可编程只读存储器(EEPROM)IP,可帮助客户减小低功耗设计难度,抢占市场先机。

另外,适合8位MCU的0.18微米3.3伏与5伏的低本高效OTP(One-Time Programming)/ MTP(Multiple-Time Programming)工艺平台,采用业界最具竞争力的光罩层数,是目前市场上极具价格优势的MCU解决方案。

华虹宏力依托自身经验丰富的IP设计、工艺和测试三方面的整合能力,可为客户提供优化的OTP 解决方案,实现了更小的OTP面积、更高的速度、更低的功耗。华虹宏力还与IP合作伙伴联合推出了OTP + LogicEE(Logic Technology Compatible EEPROM)的解决方案,以内嵌EEPROM取代8位MCU中成本较高的外挂式EEPROM,可大幅度降低生产成本。

在MTP(Multiple-Time Programming)解决方案中,客户通过MTP IP可以方便地在系统上反复修改设计程序,从而提升客户产品的功能及有效改善生产存货管理。在存储容量1Kx8位到 8Kx16位范围内,其IP面积极具成本优势,可应对客户多元化和高性价比的需求。

论坛技术亮点二: 

节能减排,功率器件技术功不可没

随着绿色经济的兴起,节能降耗已成潮流。作为开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件,功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。华虹宏力可为客户提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET(Super Junction, SJNFET)和场截止型(Field Stop, FS)IGBT工艺。其中先进的第二代SJNFET技术和新一代的600V~1200V FS IGBT已实现量产,器件性能达到业界一流水平。具有更低导通电阻和更小芯片面积的第二代优化版SJNFET工艺平台研发成功,现已面向客户开放。

华虹宏力并不止步于此,而是在已有成绩的基础上“趁热打铁”,正计划于明年推出具备更先进性能的第三代SJNFET工艺平台,进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位,为日益增长的移动终端、LED照明和新能源汽车等热点应用,提供更低功耗、更高效、更小尺寸的绿色芯制造平台。

论坛技术亮点三:

RF-SOI射频技术初见成效

近年来,随着移动互联网和无线通讯技术的蓬勃发展,射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用越来越多。其中,射频SOI技术是我们关注的重点之一。我们在今年推出了新一代0.2微米射频SOI工艺平台,并已成功实现量产。

射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端设计。我们将积极推进射频SOI技术在国内市场的业务发展,帮助客户抢占先机。此外,华虹宏力还可提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案,包括射频CMOS,高阻硅IPD(集成无源器件)以及配备射频PDK的嵌入式闪存工艺平台。

论坛技术亮点四:

绿色生活,电源管理IC技术活力无限

随着客户对绿色、节能和效率需求的日益增加,出色的电源管理IC(PMIC)技术显得尤为重要。华虹宏力作为完整的功率IC代工方案提供商,可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米,电压范围覆盖1.8伏到700伏,性能卓越、质量可靠,可广泛应用于智能电表、PMIC、手机/平板电脑PMU以及快速充电(Fast charge)等产品领域。

华虹宏力超高压700V BCD技术迎合了节能环保热点,此工艺平台所支持的高压小电流LED照明驱动应用市场发展前景十分广阔。我们将继续增强用于LED照明的先进差异化工艺技术组合,即将推出的更具竞争力的0.18微米BCD 40V,可满足客户多种需求和选择。在业内有着广泛知名度的CZ6模拟系列更是以稳定可靠的质量而著称。展望未来,我们将拓展先进的电源管理平台,为客户提供一整套具成本效益的解决方案。 

 *论坛照片:

               

          公司执行副总裁范恒先生致欢迎辞并发表精彩演讲

       

              公司执行副总裁孔蔚然博士作精彩演讲

              

      华虹宏力2015年度北京站技术论坛,吸引众多IC设计企业精英与会

 关于华虹宏力

上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”),由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成,是世界领先的200mm纯晶圆代工厂。华虹宏力在上海张江和金桥共有3条200mm集成电路生产线,月产能达13.7万片,工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点,在标准逻辑、嵌入式非易失性存储器、混合信号、射频、电源管理、功率器件工艺等领域形成了具有竞争力的先进工艺平台,并正在建立微机电系统(MEMS)工艺平台。公司总部位于中国上海,在中国台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。


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