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华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台
华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台
录入时间:2020/7/20 17:31:29

华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台

 (香港讯,2020720日)全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司华虹半导体公司,股份代号:1347.HK)宣布,其95纳米SONOSSilicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储器(eNVMEmbedded Non-Volatile Memory)工艺平台通过不断的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性相应大幅提升。

 华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器(MCU)、物联网(IoT)等领域,具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术,95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则,获得了同类产品芯片面积的缩小;逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%,达到业界领先水平;所需光罩层数较少,能够提供更具成本效益的解决方案。同时,95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能,存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平;低功耗器件驱动能力提高20%,仅用5V器件可以覆盖1.7V5.5V的宽电压应用。

 华虹半导体持续深耕,95纳米SONOS eNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压,大大提高了阈值电压的窗口。在相同测试条件下,SONOS IP的擦写能力达到1000万次,可靠性提升20倍;在85条件下,数据保持能力可长达30年,处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平,在提升数据保持能力条件下,同时提升擦写次数,更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。   

 此外,随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐,公司基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTPMulti-Time Programmable Memory)应用。通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等,在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优,更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件,进一步满足电源管理和RF类产品的需求。

 华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:嵌入式非易失性存储器技术向来是华虹半导体的 王牌之一,一直保持着业界领先地位,为广大MCU客户提供了灵活多样的技术平台。在‘8英寸+12英寸战略定位的指引下,公司在8英寸平台上,通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们发挥12英寸平台更小线宽特性,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时,满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。

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