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中国电科山西碳化硅材料产业基地实现4英寸晶片量产
中国电科山西碳化硅材料产业基地实现4英寸晶片量产
录入时间:2020/6/10 10:56:07

中国电科山西碳化硅材料产业基地实现4英寸晶片量产

 据中央纪委国家监委网报道,目前,中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。

 此外,中电科总经理李斌表示,目前国际上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%,而原来国内实验室生产的碳化硅晶片的合格率仅有30%。但在碳化硅产业基地,这个合格率可以达到65%。现在我们在实现迅速研发的同时也进一步开展量产,三年内整个项目要达到18万片每年的产能。另外,我们目前在进行8英寸晶片的研究,希望三年之后,我们能有8英寸的样片出来。

 201941日,中国电科(山西)碳化硅产业基地一期项目开工建设,同年926日封顶。

 今年228日,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地在山西转型综合改革示范区正式投产,第一批设备正式启动。

 据报道,基地一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉,项目建成后将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力,是目前国内最大的碳化硅材料产业基地。这一基地的启动,将彻底打破国外对我国碳化硅封锁的局面,实现碳化硅的完全自主供应。

 据悉,自 2007 年,中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划。2018年,中电科二所在国内率先完成4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料的工程化和6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的研发。


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